三星电子于本周三宣布，该公司已开始量产该行业首款用于个人电脑和其他设备固态硬盘(ssd)的3位多级单元(MLC)三维NAND闪存。
三星称之为V-NAND(垂直NAND)的3D芯片是第二代芯片，每个NAND存储器芯片采用32个垂直堆叠的单元层。每个芯片提供128gigabits (Gb)的内存存储。上一代芯片是在2013年8月发布的，每单元使用2比特。
三星在一份声明中表示，使用每单元3位的V-NAND大大提高了内存生产效率。三星表示，与3位平面(或单层)NAND闪存芯片相比，新的3位V-NAND芯片在三星工厂的晶圆生产率提高了一倍多。
三星V-NAND最重要的成就之一是专有的垂直互连工艺技术，可以垂直堆叠多达32层电池层，使用特殊的蚀刻技术，通过从最高层到底部穿孔电子连接各层。
虽然叠加NAND芯片听起来可以生产更厚的芯片，但三星表示，这一增加“与最新型的平面NAND闪存芯片相比微不足道”，后者的高度不到几微米。
与planar NAND不同的是，三星的V-NAND使用基于3D电荷阱Flash (CTF)技术和垂直互连处理技术的电池结构来连接电池阵列。通过应用后一种技术，三星的3D V-NAND可以提供超过20nm级平面NAND闪存两倍的缩放。
三星推出了第一代去年V-NAND(24层单元)，并在5月份推出了第二代V-NAND(32层)单元阵列结构。32层3位V-NAND的推出意味着三星正在加速V-NAND生产技术的发展。
”的一种全新的高密度ssd的性能和价值观取向,我们相信3-bit V-NAND将加速数据存储设备的过渡从硬盘驱动器到ssd,“Jaesoo汉,三星电子的市场营销和销售的高级副总裁,在一份声明中说。
《三星开始批量生产3位3D NAND芯片》这篇报道最初由三星电子出版《计算机世界》 。