虽然挤占了NAND闪存的随时随地电阻式RAM的机会很快就渺茫，未来的RAM战争意味着移动用户很可能在他们的指尖有数百GB，甚至万亿字节，存储。
由于本周公布的两项新技术，几年内，你可能就能携带拥有数百gb甚至tb超快非易失性内存的智能手机、平板电脑或笔记本电脑了。
首先，三星宣布，它现在是大规模生产的三维（3D）垂直NAND（V-NAND）芯片;然后开始向上交叉表示，它已经创造了一个原型的其电阻式随机存取存储器（RRAM）芯片。
三维NAND将现在的闪存(建在水平面上)转向侧面。然后，就像微观的内存摩天大楼一样，它将它们并排堆放在一起，制造出一个密度大得多的芯片，其写入性能是现在2D(或planar) NAND的两倍，可靠性是现在的10倍。
对平面NAND创建硅闪存单元来存储数据的最密集的过程是10纳米（nm）和19nm的尺寸之间。为了让的那是多么小的一些想法，一纳米是一米的十亿分之一 - 一个人的头发比NAND厚3000次闪现着25nm工艺技术制造。有2500万个纳米的一英寸。
NAND Flash使用晶体管或电荷捕获（也称为电荷捕获闪存），用于存储数据位在一个硅电池，而RRAM采用微型传导丝线连接硅层来表示一个数据位 - 一个数字的一个或一个零。
在RRAM，硝酸硅的顶层创建一个导电电极，而下层是不导电的氧化硅。正电荷，从而在两个硅层，它代表了一个之间的灯丝连接;负电荷断开该长丝，产生一个电阻层或一个零。
因此，该内存技术的胜利？
这两种记忆将主导非易失性存储器市场在五年内不能确定，因为专家有多少3D（或堆叠）NAND闪存可以延长目前的NAND闪存技术的生命不同的意见。有人说，它会增长超过三星目前的24层到100多家，未来;另一些人认为它只有两个三代去，这意味着该技术将撞墙当它到达64层左右。
相比之下，RRAM一开始就具有优势。它比NAND更密集，具有更高的性能和耐久性。这意味着RRAM将能够使用只有目前NAND闪存制造商一半大小的硅片。据Crossbar首席执行官乔治•米纳西安(George Minassian)表示，最重要的是，目前的flash制造工厂不需要改变设备来制造它。
“这将花费也许在工程造价几百万美元的工厂引进它。这就是它是在我们的计划，” Minassian说。“这是关于相同的成本引入新的[NAND闪存]节点，就像去从65至45纳米节点”。
横梁宣称其RRAM技术有30纳秒的延迟时间。三星的顶级闪存，840 Pro的SSD，具有0.057毫秒的延迟。一毫秒等于千分之一秒，一纳秒等于一秒的十亿分之一 - 快一百万倍。
据Minassian，RRAM本身可以承受万写入擦除周期，这是一个多一点典型的消费级MLC（多级单元）NAND闪存能够承受今天 - 这是没有任何错误纠正码。ECC是用来升级今天的MLC NAND闪存企业级闪存卡和固态硬盘（SSD）。
事实上，交叉希望看到其量产RRAM芯片的两年。Minassian表示，他的公司已经写下在汽车行业用闪光灯制造工厂的协议，生产的芯片。他还表示，与一个更大的工厂的协议已接近达成一致。
既RRAM和3D NAND预示在存储器的性能和存储容量的巨大飞跃。交叉的RRAM承诺20倍的速度写入性能和今天的平面NAND闪存10倍的耐久性。如3D NAND，RRAM存储器芯片会被堆叠，并且1TB的模块将与类似的存储的NAND快闪模块的大约一半的尺寸，所述Minassian。
三维NAND报价倍数更大的容量。随着每一个NAND闪存“摩天大楼”一词容量增加了一倍。三星表示，其V-NAND最初将只夸能力，嵌入式系统和固态硬盘从128GB到1TB，“这取决于客户的需求。”所以，三星似乎押注降低制造成本 - 每比特的价格 - 而不是能力提高到驱动器V-NAND销售。
Crossbar的初始RRAM芯片也将能够存储多达1TB的数据，但它可以在比邮票还小的芯片上做到这一点;相当于在200毫米的正方形表面上观看250小时的高清电影。
说到性能，RRAM带来了另一个优势。今日NAND闪存芯片具有大约7MB / sec的写入速度。SSD和闪存卡可以通过并行运行的多个芯片实现400MB /秒的速度。
甲RRAM芯片拥有140MB /秒的写入速度，这是不平行的互连到多个芯片，所述Minassian。
3D NAND和RRAM据称的性能提升意味着存储设备将不再是现在的系统瓶颈。在未来，瓶颈将是总线——计算机部件之间的通信层。换句话说，如果NAND flash是一辆100英里/小时的车，而RRAM是一辆200英里/小时的车，那么如果他们所处的道路有一条限速为50英里/小时的弯道，那么他们能跑多快都没有关系。
在性能上面，RRAM使用功率的一部分来存储数据的NAND闪存的使用，这意味着它可以帮助延长电池寿命“以周，月或数年，”根据横梁。
例如，NAND闪存需要大约20伏特的电力才能将数据写入硅片。RRAM只需要4微安来写入一点数据。
交叉不单单是RRAM的发展。无论惠普和松下已经开发出自己的电阻型存储器的版本，但根据在Objective Analysis的首席分析师Jim Handy，纵横有巨大的腿与其他开发人员。
“这项技术的一个非常大的优点是选择设备内置电池。在其他RRAMs它不是，那么外在的东西（二极管或晶体管）必须是内置的。这是一个已经收到了很多的区域科研经费，但仍是许多其他技术一个棘手的问题，”他在一封电子邮件中回复说计算机世界
汉迪表示，市场对替代技术RRAM是有限的，因为闪存制造商倾向于使用他们可以逃脱，即使其他技术提供更好的性能，最廉价的技术。
RRAM有优势
RRAM是不是在眼前的记忆，只剩前进。的非易失性存储器可替代的形式，可能是未来的对手NAND和DRAM包括EverSpin的的磁阻RAM（MRAM）和相变存储器（PCM），一个存储器类型而由三星和美光追求的。还有赛道存储器，石墨烯内存和忆阻器，惠普自己的类型RRAM的。
王宗尧，创始人及首席分析师研究公司Forward见解，认为交叉的RRAM是一个可行的产品，可能有一天会挑战NAND，“当我说NAND，我的意思是三维NAND也一样，”他说。
赛道内存仍然有至少五年去走之前它甚至是可行的。“现在，它看起来像一个有趣的概念，无论它最终成为未来商业化或不被远，” Wong说。
“相变......，好了，有一些在那里，但问题是，它是否适合在内存市场在哪里？现在，这是一个NOR更换，”绦纶。“它的性能和耐用性是一样的NOR，NAND没有。
“一般情况下，当你看着别人......吹捧RRAM，有很多的怀疑，但是当我们看着交叉开关和它的技术，我们发现它很有趣，”他说。
汉迪也认为，用硅制成，像交叉的RRAM存储，将继续主宰内存市场，因为代工厂已经配备使用它，这是一个廉价的材料。
“硅将保留其在新材料的主导地位，只要是可以的，直到三维NAND运行蒸汽，目前看起来它会发生两到三个世代的出2D用完蒸汽后，像交叉的技术将扮演一个利基作用，这是从哪儿当今市场是两到三年的过程几代了，” Handy表示。
NAND闪存制程技术已推进每12个月左右。例如，英特尔即将从19nm工艺节点移动到14nm以下。这意味着它可以在两到三年运行蒸汽出来。
不是每个人都同意三维NAND有这样一个有限的寿命。
吉尔李，高级主管，并在应用材料公司的技术人员的主要成员，认为三维NAND可能增长到超过100层深。应用材料公司提供的机器为半导体行业做出两种NAND闪存和RRAM。
“移动到3D允许NAND技术持续缩小。这能走多远？我觉得可以走很远，”他说。
李先生说，他已经看到，拍摄3D NAND了128个对或层制造工厂的路线图。
Lee说，第一代3D NAND是在低于20nm的节点2D NAND之后推出的，深度为24层，但由于3D NAND的密度更高，它将使每位内存的生产成本降低约30%。
消费者是否会看到NAND闪存具有更大的密度，或制造工厂将继续简单地以更低的成本创建相同的内存容量，将达到行业，李说。
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这个故事，“RAM战争：RRAM与三维NAND闪存，最终获胜者是......我们”最初发表计算机世界 。