三星半导体(Samsung Semiconductor)周二宣布了新一代V-NAND技术，该技术将在今年晚些时候帮助降低闪存的成本和能耗。
它的第一个3位版本的3D V-NAND(垂直NAND)闪存，它在堆叠技术的每一层都多放了一个数据位。三星半导体内存解决方案实验室副总裁Bob Brennan预计，一款采用这种新技术的固态硬盘将于今年年底上市。
V-NAND垂直堆叠闪存，实现更大的密度，而无需在单个芯片层封装更多的组件。在所谓的平面芯片上提高密度正变得越来越困难和昂贵，因为单元间距离越近，错误率就越高。Brennan说，如果没有V-NAND，闪存价格下跌的速度将会放缓。最新的发展应该有助于他们继续下去。
三星宣布V-NAND一年前有24层，今年早些时候又推出了一个有32层的版本。它已经推出了32层V-NAND的ssd850专业版三星认为line非常耐用，可以保修10年。这两个V-NAND版本都允许在相同尺寸的芯片上比planar flash拥有更多的数据，降低了每比特的成本，并为提高存储密度开辟了一个新领域。
但那些版本每层只有2位数据。布伦南说，三星现在在每层都安装了3个比特，相当于48层的设计。三星认为它还可以继续增加图层，在未来的某个时候可以增加到90或100层。但是增加每层的比特数是增加密度的另一种方法，flash供应商已经很熟悉这种方法了，因为它已经在planar flash中使用多年了。
Brennan表示，采用3位V-NAND芯片的ssd可能会被用于闪存层，而不是最终的性能。脸谱网他们表示对价格低廉的3位版本的planar flash感兴趣，该产品被称为TLC (triple-level cell)，用于存储很少被访问的内容，比如照片。