东芝计划拆除其在日本的第二快闪存储器工厂，代之以一家新工厂，东芝和SanDisk将在那里生产3D NAND。
东芝和SanDisk将生产将增加固态驱动器密度和性能的三维NAND闪存芯片。
东芝表示，计划拆除其位于日本三重县的Fab 2工厂，代之以新的晶圆工厂，SanDisk也将在该工厂投入资源，开始制作3D NAND。
三星是第一个开始生产3D NAND的公司，它被称为V-NAND。一个女人拿着一个3D闪存晶片。
两家公司预计将于2016年开始生产。
东芝半导体及存储产品公司首席执行官Yasuo Naruke表示:“我们开发先进技术的决心突显了我们对应对NAND闪存持续需求的承诺。”“我们相信，与SanDisk的合资企业将使我们能够在四日市生产具有成本竞争力的下一代存储器。”
与planar NAND技术不同的是，3D NAND将闪存晶片堆叠在一起，以阵列方式将它们垂直连接起来。
去年,三星成为第一个半导体制造商开始生产3D NAND。据三星称，该公司称之为V-NAND的芯片的可靠性提高了2至10倍，写入性能提高了两倍。
三星的V-NAND使用基于3D电荷陷阱Flash (CTF)技术的电池结构。通过应用后一种技术，三星的3D V-NAND闪存可以提供超过目前20nm级平面NAND闪存两倍的规模。
三星正在将其3D V-NAND应用于各种消费电子产品和企业应用，包括嵌入式NAND存储和固态硬盘(ssd)。三星的3D NAND闪存芯片被用于创建容量从128GB到1TB的ssd。
东芝表示，目前暂不确定产能和生产水平，但将"反映市场趋势"。
东芝在一份声明中表示:“东芝和晟碟公司将通过合资企业，利用先进的光刻、沉积和蚀刻设备，支持3D内存生产。”
新的连接晶圆厂将采用抗震结构和“环保设计”，其中包括整个建筑的LED照明。东芝表示，这台机器还将配备最新的节能制造设备，这将使它在低能耗的情况下提高生产率。
该公司表示:“与目前Yokkaichi工厂最先进的Fab 5相比，高效利用余热将有助于降低燃料消耗和二氧化碳排放15%。”
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这个故事，“SanDisk和东芝团队合作创建3D ssd”最初是由《计算机世界》 。