SanDisk公司周二宣布，将开始大批量生产的第一款高性能X3和X4闪存，采用32和43纳米光刻工艺技术，分别。较密实的闪存技术将使内存高达64Gbit在单一芯片上，还是今天多级单元存储器提供两倍，该公司表示。
SanDisk表示，它也建立了新的X3（每单元3位）和X4（每单元4个比特）的磁盘控制器来管理更大的复杂性和密度较大的存储器的性能要求。
Khandker Quader，用于存储技术和产品开发，在SanDisk公司的高级副总裁说，新的存储技术及控制器技术是“闪存存储的一个重要里程碑，将给SanDisk提供显著的长远利益和未来的NAND闪存方面发挥关键作用缩放“。
在X3技术，该技术将提供高达每的32Gbit存储芯片，将用于生产microSD存储卡到32GB容量。该X4工艺芯片将提供高达64Gbit每个芯片，或每个标准SD卡64GB。双方将用于应用，如音乐，电影，照片，GPS和游戏。
“这使我们能够大大提高我们的制造成本，” Quader说，指的是降低闪存的总体成本的能力。
SanDisk公司将开始在第二季度提供新的microSD卡和SD卡。Quader说，SanDisk公司也计划在今年下半年采用32nm光刻制造2位每单元闪存。
“我们正在寻找一个范围广泛的产品应用，” Quader说。“举个例子，全尺寸SD卡将在USB存储设备，音频视频应用，记忆棒使用，我们正在寻找3位和每单元4位实现新的固态硬盘产品。”
Quader不能说那时SanDisk计划使用的32Gbit闪存技术生产的SSD驱动器的笔记本电脑和其他移动设备。
这个故事，“SanDisk公司宣布批量生产高容量闪存的”最初发表计算机世界 。