英特尔英特尔和美光科技(Micron Technology Inc.)周一计划宣布全球首个25纳米NAND闪存技术，该技术将使智能手机、音乐和媒体播放器以及固态硬盘(SSD)等设备的存储容量增加一倍，而无需让产品本身变得更大。
英特尔目前正在发售样品给设备制造商的8GB NAND的模具，其最新的光刻技术创建的。光刻是创造硅电池和晶体管，其被用于存储数据的比特的处理。它们是较小的，可配合单个NAND闪存芯片上的多 - 大的存储容量。
该公司计划开始大量生产的8GB模具下一季度。
“这将有助于加速通过计算固态硬盘解决方案，”汤姆Rampone，英特尔NAND解决方案事业部副总裁兼总经理，在声明中说。
新的25nm 8GB芯片，尺寸为0.35英寸。0.74 -。，由许多较小的64Gbit NAND芯片组成。新的NAND技术使得使用现有34nm光刻技术一半的芯片制造产品成为可能，从而实现更小、更高密度的设计。例如，一个256GB的SSD可以用32个8GB的NAND闪存模，而不是64个;32GB的智能手机只需要4个电池片;而16GB的闪存卡只需要两个。这一变化还降低了移动产品生产的总成本。
英特尔NAND市场总监特洛伊•温斯洛(Troy Winslow)表示，该芯片“小到足以穿过光盘中间的孔，但其数据容量却超过光盘的10倍。”一张标准CD容纳700MB的数据。
英特尔表示，其25纳米光刻工艺不仅是最小的为NAND闪存技术，但它也是整体最小的半导体技术存在。这意味着它的制造过程中会借给自己的进步在消费电子和计算应用的更广泛的区域。
新的NAND闪存产品是由英特尔与美光的合资公司制造IM Flash技术（IMFT）。
在10月，公司宣布了它所谓其性能最高的SSD产品基于这项技术。SSD芯片在耐久性方面比上一代技术提高了6倍。在声明中，一位发言人还暗示，SSD芯片可以直接放在电脑的主板上，这样就可以绕过速度较慢的SATA驱动器接口。
的25nm的闪光产品采用版开放NAND闪存接口（ONFI）规范，其当前具有200MB /秒的数据传输速率的2.2。Kilbuck所述IMFT正在排位一个未来的NAND闪存产品为ONFI的3.0规范，其中有可以通过400MB /秒的速率的数据。
最新的存储器具有相同的耐久性与先前的34nm技术，具有5000的写 - 擦除循环，温斯洛说。
未来的障碍
无论美光与英特尔上周五的新闻发布会上，他们会来面对相当大的技术障碍，在他们试图继续降低NAND闪存的大小时坦言。在25纳米，IMFT已接近原子的大小。例如，一个人的头发比25纳米厚的3000倍。如果一个人的头发丝的厚度为一里路，25纳米将是约20英寸，根据凯文Kilbuck，美光NAND市场总监。
基尔巴克说:“在34nm技术上，我们领先竞争对手6到12个月，而在25nm技术上，我们相信我们将扩大这一领先优势。”
IMFT了一倍NAND密度每18个月大概。该公司使用50纳米光刻工艺生产开始于2006年，并于2008年它发布了34nm闪存芯片基于多层cell (MLC) NAND可存储32Gbit。那个芯片每个单元存储两比特数据。
去年八月，IMFT宣布一个新的三比特的每单元，使用其34纳米光刻工艺NAND闪存技术。前进表示在NAND闪存大小的11％的减少。但是，由于可靠性问题，IMFT选择了停止生产的三比特MLC NAND闪存产品，Kilbuck说。
的25nm的NAND芯片保持每存储器单元两个位。
“在光刻下台的挑战是继续提供相同的性能......如以前的产品，”温斯洛说。“这些都是我们能够与这一代人克服挑战，但展望下几代人，我们确实认识到材料和工艺技术将不得不改变的障碍安装。”
IMFT目前正在考虑未来产品的其他存储技术，如电荷陷阱闪存和3D-单元NAND。
“这是我们正在考虑延长NAND单元本身的寿命只是一些” Kilbuck说。“如果我们最终会走这样一条路，我们可以利用我们的DRAM工艺技术和电池技术，由于DRAM一直利用与一些细微的几何三维细胞。我们的目标是保持缩放，所以我们可以在成本保持领先。”
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这个故事，“英特尔，美光宣布世界上最密集的闪存”最初发表计算机世界 。