三星大规模生产其最密集的NAND闪存芯片呢，说新的3位每单元，64Gbit芯片包的两倍位作为该公司以前的产品。
三星现在批量生产业界第一3位每单元，64Gbit NAND闪存芯片，它的用途的电路约比以前小14％的是的。新的芯片包装的两倍位作为三星目前的NAND闪存产品。
NAND闪存也应用切换DDR（双数据速率）1.0规范，新的芯片提供了更好的性能。三星已经生产使用SDR（单数据率）为基础的规范30纳米级NAND芯片。
该公司声称它是第一个开始生产新的类使用20纳米（nm）级的电路闪存。而闪存芯片将被用于创建高容量的USB闪存驱动器，SD存储卡，以及智能手机和固态硬盘（SSD）。
直到今年，多级单元（MLC）NAND闪存中启动的数据的2位被写入到存储单元。单级单元（SLC）NAND一直被视为“企业-class”在高端产品中使用，因为它的原生高寿命和性能质量。然而，在驱动器控制器更复杂的耗损均衡的软件，使MLC内存。
今年八月，IM闪存技术公司（IMFT） - 的合资企业英特尔与美光 -还宣布，它已创造了3位每单元NAND闪存芯片使用25nm的光刻，作为铺设电路的过程被调用。IMFT的芯片还拥有64Gbits。IMFT，不过，目前尚未开始大规模生产。
根据泄露给了媒体一个幻灯片，英特尔希望利用25nm工艺的消费级SSD的容量最终一倍。这意味着它的X25-M固态硬盘将增长到160GB，300GB和600GB容量。该公司也将能够将其更实惠的X25-V的入门级驱动器，它针对的是容量提高一倍上网本和平板电脑市场。目前X25-V 40GB提供能力。这将有80GB机型所取代。
三星没有透露其光刻技术的确切大小，只说这是在尺寸为20nm和29nm之间的某处。十一月以来，三星一直采用30nm光刻技术开发与生产能力的32Gbit NAND闪存芯片。
在25纳米，NAND闪存电路是比人的头发的一条链更薄3000倍。
新的，更密集的NAND技术，可以使用更少的芯片中，允许使用更小，密度更高的设计制造产品。在64Gbit芯片相结合，建立8GB的NAND闪存芯片。然后，将模具相结合，建立更大的多芯片产品。这种变化也削减整体成本生产手机产品，即节省可以向下传递给消费者。
“现在进入全面量产20纳米级的，64Gbit，3位器件，我们希望加快采用我们的高性能NAND解决方案，使用翻转DDR技术，也需要高密度NAND，应用程序的”成人节金，闪存规划的副总裁/启用三星电子在一份声明中说。
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