英特尔与美光今天宣布，他们将很快出货3位每单元的多级单元（MLC）NAND闪存，通过第三增加消费者的闪存存储密度。
英特尔公司和美光科技公司今天宣布，他们已经使用美光的34纳米光刻工艺，开发了新的3位每单元NAND闪存技术。
“从根本上说，这将减少我们的MLC闪存产品的总体成本，”凯文Kilbuck，美光NAND市场总监说。
多电平单元（MLC）NAND闪存芯片，其通常在消费存储装置中使用的诸如闪存卡和USB闪存驱动器，存储今天每单元2比特。新的芯片表示在闪存芯片尺寸的11％的减少，从141至126平方毫米的尺寸，所述Kilbuck。
新的内存是由IM闪存技术有限责任公司，美光与英特尔的合资公司制造。3位每单元NAND技术是目前市场上出售的业界最小及最具成本效益的32千兆芯片，公司说。
美光科技目前已提供样品闪存，这将是量产在2009年第四季度，Kilbuck说。
“三位允许这些人在市场的心脏地带的目标与具有较低的成本结构的芯片，所以当其它NAND制造商都在赔钱英特尔与美光可能是获利的，”在客观分析的分析师Jim Handy表示，在加州Los Gatos。
英特尔公司与美光科技公司新的3位闪存是不是第一。在一月份，东芝公司宣布在3位的43纳米芯片，并预计，他们将在第三季度出货的闪存芯片的32纳米版本。然而，在SanDisk的最新财报时，该公司预计在其闪存产品的东芝公司的3位芯片的出货量在今年年底，“所以[东芝]时间表可能已经下滑了四分之一，” Handy表示。“这两家公司在同一时间内升高同一芯片的能力，”他说。
“现在，我们必须注意，看看三星和海力士回应，” Handy表示。“这两家公司，和Hynix公司的合作伙伴恒忆，站在经历了很多竞争对手的价格压力。”
去年十一月，美光宣布，目前正在其消费者固态硬盘（SSD）驱动器使用的32Gbit，2位每单元MLC NAND闪存芯片。
Micron和Intel的3位每单元NAND也是的32Gbit芯片，但英特尔并没有在使用该技术来开发在不久的将来，SSD驱动器的计划。
取而代之的是，美光计划将在今年年底使用更密集的MLC存储器USB记忆棒，并希望它有助于价格下降“在高个位数，” Kilbuck说。
“从理论上说，你可以拿[NAND闪存芯片]，并得到了48Gbit芯片三分之一以上的容量，但有几个原因，我们并没有这样做，” Kilbuck说。“备用路径，而不是增加密度可以减小芯片尺寸和具有更小的32Gbit [芯片]比你的2位每单元芯片，这是我们采取的路径。”
Kilbuck接着说，48Gbit是一个非二进制密度，这将导致服务员，那个古怪的能力，用今天的2GB，4GB，和128GB闪存设备相比。
特洛伊温斯洛，英特尔NAND营销总监承认，正如2位每单元NAND闪存本身不会持续，只要单级单元（SLC），或1位每单元NAND，新的3位每单元技术可维持于2位每单元MLC NAND甚至更少的写入周期。
因此，该公司也正在等待升级控制器固件，这将有助于提高使用新的闪存固态硬盘的写入寿命或驱动器的寿命。
“当你继续额外位添加到细胞，在控制器固件的挑战做增加。这就是为什么无论是美光还是英特尔都在说我们将要放这个版本的闪存到SSD或计算解决方案，”温斯洛说。“我们正在利用这个作为我们的硅制造领导的证明点。”
温斯洛所述3比特的每单元存储器“设置舞台”作为公司移向子30纳米光刻技术。
“然后，我们要采取有SLC，MLC和3位每单元的充分利用......并把它们纳入我们所有的解决方案，而不仅仅是当前针对这一代3的USB驱动器位每单元[闪存]”他说。
这个故事，“英特尔，美光宣布密集，多位SSD技术”，由最初发表计算机世界 。