英特尔和美光在NAND闪存生产方面取得了新的突破。25nm NAND闪存工艺将使制造商能够将当前闪存容量翻一番，或将相同的内存压缩到一半的空间，从而提高业务专业人员所依赖的设备的存储容量。
A.英特尔和美光的联合声明说，“由IM闪存技术（IMFT），英特尔和MICRON的NAND闪存合资企业，25nm工艺产生8千兆字节（GB）的存储在一个单一的NAND设备，创造了一个高容量的存储解决方案，为今天的微型消费小工具。它仅测量167MM2 -足够小，以适应孔中间的光盘。（CD），但其数据容量是该CD的10倍以上（标准CD可容纳700兆字节的数据）。”
这在英语中是什么意思？与前几代NAND闪存技术相比，25nm工艺将所需芯片数量减少了一半。这意味着OEM制造商可以创建一个256GB的SSD（固态驱动器），只需32个闪存芯片，而不是64个。
闪存技术的这一进步使商业用户从以下几个方面受益。首先，较小的闪存芯片将启用像iPhone这样的智能手机或NexusOne在不增加设备大小的情况下，将板载内存容量增加一倍。
智能手机，或者被谷歌称为“超级手机”的下一代智能手机，正在被广泛使用越来越模糊的界线在手机和便携式电脑之间。商业用户依靠智能手机发送电子邮件、安排日程、管理联系人，甚至处理文档、电子表格和演示文稿，因此增加数据存储的可用空间是有益的。
平板电脑就像是从飞思卡尔或惠普，或最近发布的苹果iPad，依靠NAND闪存以小而薄的形式提供持久性存储（即使断电也能保留数据的存储）。Intel和Micron在NAND闪存技术方面的进步将使制造商能够将平板电脑的存储容量提高一倍。
第二个潜在好处是，制造商可以制造出更小、内存容量更大的设备。与智能手机在同一空间可以容纳两倍内存的说法相反，制造商可以制造出一款只有当前一代一半大小、存储容量相同的智能手机。
新的闪存技术还将使SSD制造商能够为更小、更轻的上网本和智能本创建更小的SSD驱动器，或者将当前SSD驱动器的存储容量翻一番，以提供更强健的上网本和智能本。
新工艺降低了每GB闪存的制造成本，因此我们可以想象，依赖闪存的设备价格会下降。然而，似乎更有可能——至少在短期内——制造商将随着利润率的提高而吸收更便宜的制造成本，并增加自己的底线。
这一切意味着什么？这意味着，企业可以期望看到小型便携式计算设备的存储容量翻一番，或者找到存储容量与当前技术相当的更小、更薄的设备。最终，它也将产生更低的价格，但只要制造商能够摆脱更高的价格和更大的利润率，他们就会。
英特尔和美光目前正在对基于25nm技术的8Gb芯片进行采样。基于这项新技术的大规模生产和存储的普遍可用性预计要到2010年底才能实现。
托尼·布拉德利在推特上说@托尼·布拉德利，并可通过他的Facebook页面.
这个故事“Intel和Micron双闪存存储容量”最初由PCWorld .