至于用于创建NAND闪存技术的不断萎缩，误码率和生产成本上升。这迫使固态内存厂商寻找替代品。
当IM闪存技术（IMFT）本周宣布其制造的25纳米（nm）的NAND闪存芯片，该公司还承认，更进一步缩小的技术，因为与比特错误和成本的问题可能是不可能的。
如果这是真的，那么用于固态硬盘(ssd)和存储卡存储的一种基本构建块可能就要走到死胡同了。
“我认为，在未来四年，五年，它可能会是这种情况”是NAND将不再是存储介质，闪存分析师市场研究公司Forward见解王宗尧说。“每个人都在寻找替代品。”NAND闪存一直是最大的一个变化驱动技术在近几年，随着存储介质显示在数据中心，高端笔记本电脑一样了雷竞技电脑网站苹果的MacBook Air和在存储卡中的移动设备。苹果在其广受欢迎的iPod和iPhone，其销售帮助推动闪存通过大规模生产降低成本已经在很大程度上推动了采用率与其使用NAND闪存。
iSuppli公司预测，全球闪存卡市场将从今年的5.3亿部增长到2013年的95亿部，届时市场价值将达到265亿美元。iSuppli表示，大容量存储芯片市场还有很大的增长空间，这主要是因为智能手机的崛起。它们提供的功能越多，无论是触摸屏、无线上网还是视频功能，对存储空间的需求就越大。
“随着我们转向高清视频，这将需要更高的存储容量，”Wong说。“问题当然是……你真的需要在小屏幕上播放高清视频吗?不会，但公司会把HD作为一种差异化的方式。”
例如，三星电子是全球最大的NAND闪存制造商，刚刚发布了一个新的64GB moviNAND嵌入式芯片和32GB microSD可移动存储卡用于移动设备。这两款产品都采用了30纳米光刻技术。
三星半导体(Samsung Semiconductor Inc.)负责NAND flash营销的高级经理韦恩格(Steve Weinger)说，手机视频功能以及人们对存储应用程序、电影、电视节目和YouTube.com等网站视频剪辑的需求推动了芯片的开发，推动了芯片销售额每年34%的增长。他说，事实上，NAND闪存芯片的容量在一年多一点的时间里就增加了一倍。
“你最终可以把所有的电影、照片和其他东西都掌握在自己的手中，”他说。“最近我用DirectTV应用程序在iPhone上看了一场足球比赛。非常清楚。”
这个问题，Weinger说，是它变得难以使NAND闪存密度更大。
目前，该25nm光刻技术正由IMFT公司使用英特尔微米，是最小的NAND生产技术存在。英特尔的一位发言人对NAND闪存能可靠地缩小多少持谨慎态度。这一点很重要，因为更小的芯片意味着在同样的空间里有更多的容量。
“在光刻下台的挑战是继续提供相同的性能......如以前的产品，”特洛伊温斯洛，英特尔NAND营销总监，在计算机世界采访时说。“这些都是我们能够与这一代人克服挑战，但展望下几代人，我们确实认识到材料和工艺技术将不得不改变的障碍安装。”
英特尔的光刻技术已经接近原子大小。光刻是在硅中制造电池和晶体管的过程，它们被用来存储数据位。它们越小，一个NAND闪存芯片能容纳的数据就越多。在25纳米时，硅电池比人的一根头发还要薄3000倍。在这个水平上，细胞间的电干扰就变成了一个更难对付的障碍。
根据内存和存储与iSuppli公司的资深分析师Michael杨，任何超过20纳米光刻技术是小NAND闪存未知的领域。
“除非能证明[10-19]纳米或以下是可能的NAND，这将是一个新的内存技术一个十字路口，”杨在一封邮件响应计算机世界写道。
另外，可以存储在存储器单元中的电子的数量与快闪存储器的每一代减小，使之更难以使细胞可靠地保持数据，根据黄。
多电平单元NAND，在消费产品中使用的闪速存储器的最常见的类型，是在从每单元存储两个数据位，以每单元存储三个和四个比特的转变的过程中。但是，每细胞的附加位的意思是在控制器级别以确保每个比特被精确地放置额外的编程，Wong表示。而编程为单电平单元（SLC）NAND是相对简单的，因为只有一个比特可被放置在一个小区，编程为两比特和三比特的多级单元（MLC）NAND双打或编码所需的三倍。
增加每单元的比特数并不总是最好的答案。当IMFT发布了其25纳米NAND芯片，该公司的发言人在接受采访时计算机世界称，该公司已经降到生产尚未出货的三比特的每单元MLC NAND产品由于可靠性问题。这项技术，去年8月宣布，采用IMFT的34nm光刻工艺，NAND闪存尺寸减少11%。
美光NAND市场总监凯文•基尔巴克表示:“每单元3位芯片技术的主要缺点在于，它是以牺牲性能和可靠性为代价的。”
虽然IMFT仍然希望使用25纳米光刻工艺复活的三位每单元技术，Kilbuck表示，该公司已经将目光投向比其他技术浮栅晶体管技术目前正在使用的数据存储硬件将继续朝着更小、更密集的方向发展。这些技术中有电荷陷阱闪光和相变存储器。该公司还考虑3D-单元NAND，其涉及细胞堆叠一个在另一个顶上。
基尔巴克说:“这只是我们在研究如何延长NAND电池本身的寿命。”“如果我们最终走那条路，我们可以利用我们的DRAM进程技术和细胞技术，因为DRAM已经利用了一些精细几何图形的3d细胞。我们的目标是继续扩大规模，这样我们就能在成本方面保持领先地位。”
据转发见解，如光刻技术缩小，位失误增多，这是由向三位和每单元MLC NAND四位，此举加剧了问题。更高的比特错误率需要更多的纠错码[ECC]在闪存中检测数据错误和纠正。
传统的ECC然而，这需要代码冗余和数据读取延迟为必须予以纠正上升错误的数量，据Forward见解。
一些非易失性存储器公司正在研究的一种技术是电阻随机存取存储器(RRAM)。RRAM不是使用硅作为电阻材料，而是在硅中使用灯丝或传导路径。
Wong表示，RRAM技术相对于其他新兴的非易失性存储器而言，可能具有优势，因为与相变存储器相比，RRAM用于编程的电压更低，且其存储单元大小可与NAND相媲美。“换句话说，这是一项潜在的可扩展技术，”Wong说。
Wong说:“在新兴技术中还没有明显的赢家，但堆叠3D RRAM有很多优势。”“这个行业是相当创新的，所以(它)会找到一些方法来扩展NAND。当无法规模化时，一种替代技术将会出现。”
卢卡斯Mearian涵盖存储，灾难恢复和业务连续性，金融服务，基础设施和医疗保健IT的计算机世界。按照卢卡斯的Twitter @lucasmearian或订阅卢卡斯的RSS源。他的电子邮件地址是lmearian@computerworld.com。
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这个故事，“NAND flash是否即将进入死胡同?”最初发表于《计算机世界》 。