随着时间的闪存存储成为主流，2010年将下降。英特尔美光闪存技术 - 基于犹他州Lehi的，这两家公司的合资企业从2005年起就开始分享技术和flash制作，现在已经发布了25纳米闪光生产工艺。当闪光灯进入产品时，它对消费产品的影响将是显而易见的。(按图放大;它展示了一款Intel-Micron 25纳米8GB NAND闪存设备，尺寸为167mm2，是半导体行业中最小、最先进的工艺技术。
IMFT表示，闪存生产周期为12至15个月。25nm制程代表了第四代技术。早在2006年，工艺技术是72纳米，2008年是50纳米，去年，随着英特尔X25-M的引入，it降至34海里。
一旦第二季度产量达到全部产量，生产效率的提高将为消费者带来明显的切实利益(今天的公告表明IMFT已经完成了对客户的抽样)。英特尔和美光都没有正式宣布产品，但两家公司都表示，我们有望在“今年晚些时候”在产品中看到新的flash。Previously, it's been reported that Intel will refresh its solid-state drive (SSD) line in the fourth quarter.
与24纳米闪光，IMFT将能够产生2位每单元MLC NAND闪存，8GB的存储空间上的单个167毫米闪存管芯。这两次先前的34nm工艺可以生产的能力，它消除了IMFT此前公布的3位每单元MLC闪存，它通过增加位每细胞，但保持相同的32nm工艺增加容量的需求。对于角度来看，167毫米足够小，以适应通过CD的孔，但它包以上的数据容量十倍。
未来的影响
这一声明的长期影响是令人兴奋的，以一种有形的方式，许多半导体制造的发展通常不。通过在25nm工艺上增加一倍的容量，这意味着我们将在相同的物理空间中看到两倍的闪存。
这也意味着生产能力的提高，因为25nm制程不需要34nm制程那么多的模具就能达到相同的生产能力。
这意味着消费者可以期待在明年看到所有使用闪存的产品的闪存容量的直接影响，从USB驱动器和记忆卡到媒体播放器和平板电脑。
ssd也是主要的受益者:毕竟，目前对ssd最大的批评之一是其无法跟上硬盘驱动器的容量。然而，2.5英寸高容量600GB SSD的想法是可行的，这要归功于25nm工艺。尽管分析师预计SSD的价格仍将高于磁碟驱动器，但随着时间的推移，25nm工艺将有助于降低生产成本。
所有这些听起来都是理论，但实际情况却是如此。例如，在34nm工艺下，需要64台NAND闪存才能实现256GB的SSD;对于25nm制程，制造商仅用32个闪存设备就可以达到同样的容量。64GB的平板电脑只需8张，32GB的智能手机只需4张，16GB的闪存卡只需2张。最终产品的制造效率将有助于降低制造成本，并改善产品设计。
不过，国际货币基金组织强调，对价格的实际影响将由市场力量决定。英特尔的市场总监特洛伊·温斯洛说:“当我们从50nm制程到34nm制程时，相比之下我们降低了60%的价格。我们今年晚些时候上市时还会这样做吗?我不会那么说的。但我们的愿望是实现批量SSD，我们认为，由于我们产品的价值，我们在这方面处于独特地位。”
这个故事，“英特尔，微米介绍25nm NAND闪存生产”最初是由PCWorld的这个清单 。