英特尔与美光宣布的25纳米光刻技术的3位每单元NAND闪存的发货，生产什么，他们堪称业内最高容量，最小的NAND设备。
英特尔与美光科技今天宣布交付在25纳米光刻技术上的每单元3位(3bpc) NAND闪存。两家公司表示，这款新型闪存芯片是目前业内容量最大、体积最小的NAND设备。
这些公司已经向选定的客户发送了初始产品样品。英特尔和美光预计将在今年年底全面投产。
3位per cell NAND闪存芯片的目标是闪存卡，USB驱动器和MP3播放器。两家公司的固态硬盘(SSD)继续使用每单元2位和每单元1位的NAND闪存。
去年8月，英特尔和美光的合资公司IM Flash技术(IMFT),宣布首先每单元3位，NAND闪存技术利用其34纳米光刻工艺。前进表示在NAND闪存大小的11％的减少。但是，由于可靠性问题，IMFT选择了停止生产的3位NAND闪存产品。
今年1月，IMFT推出了该行业的第一家25nm NAND闪存技术。该芯片持有两比特的数据，使一个多级单元(MLC) NAND闪存相比，单一水平单元(SLC) NAND，它持有一个位每个单元。
新的NAND闪存是后两种技术的结合。
IMFT表示，其新推出的64Gbit每单元3位内存芯片密度更高，并将进一步降低NAND闪存的基本价格。
IMFT的25nm 8GB芯片，尺寸为0.35英寸。0.74 -。，由许多较小的64Gbit NAND芯片组成。NAND技术使得生产产品所使用的芯片数量只有之前34nm光刻技术的一半，可以实现更小、更高密度的设计。例如，一个256GB的SSD可以用32个8GB的NAND闪存模，而不是64个;一个32 gb智能手机需要短短四年去世;和16GB的闪存卡只需要两个。这种变化也减少生产移动产品的总体成本。
这款设备的容量比英特尔和目前正在生产的美光25nm MLC要小20%以上。
英特尔NAND解决方案部门总经理Tom Rampone在一份声明中称:"随着今年1月推出业界最小的25nm制程芯片，紧接着又推出25nm制程的3位制程芯片，我们将继续取得发展势头，并向客户提供一套引人注目的领先产品。"“英特尔计划利用IMFT在设计和制造方面的领先地位，在8GB 25nm NAND设备的基础上，为客户提供密度更高、成本更有竞争力的产品。”
美光NAND解决方案部门副总裁Brian Shirley在一份声明中称:"我们已经在努力使8GB TLC NAND闪存设备符合最终产品设计标准，包括Lexar Media和Micron的高容量产品。"
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这个故事，“英特尔，美光提供最高容量，最小的NAND闪存”最初发表《计算机世界》 。