三星今天发布了一个64GB嵌入式内存模块和32GB microSD卡，这使得公司以前的可移动卡的容量加倍，是第一个由三星30纳米光刻技术生产的。
三星今天推出了两个高密度内存模块，用于移动设备，其可预先高端的高端安全数字（MicroSD）卡的容量增加了两倍。
新的存储产品包括64GB MovInand嵌入式内存模块和32GB可移动MicroSD存储卡。
新的存储卡基于三星的32Gbit NAND闪存芯片，它使用30纳米光刻技术。64GB MovInand内存模块高度为1.4毫米，包含16个闪存芯片和控制器。新的MovInand内存也可在64GB，32GB，16GB，8GB和4GB密度中提供。
该月开发的32GB microSD卡采用八个32Gbit NAND闪存芯片和控制器。以前，生产中最高密度的MicroSD卡具有16GB的容量，并且基于40纳米光刻技术。新的32GB卡仅为1毫米厚，并且插入移动设备手机的卡片的部分高度仅为0.7毫米。
“三星的高密度内存解决方案将计算系统的存储容量水平带到小型移动设备”，“三星电子记忆营销副总裁Dong-Soo Jun在一份声明中表示。
三星在12月开始大规模生产其新的64GB挥发。该模块现在运送到移动设备制造商。32GB MicroSD现在正在与OEM进行采样，预计下个月将在大规模生产中。
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这个故事，“三星释放其密度移动存储卡”最初发布Computerworld. 。