英特尔公司是航运设备制造商及其25纳米（nm）的NAND闪存芯片，其中加倍其先前的34nm芯片的容量。
英特尔公司今天宣布，它是航运设备制造商其25纳米（nm）NAND闪存芯片，双打其先前的34nm芯片的能力。
英特尔宣布其新的芯片，可容纳8GB数据，去年二月。固态驱动器（SSD），USB记忆棒和可移动和嵌入式存储卡的制造商将多个NAND闪存芯片在板上具有多个I / O路径来创建大容量存储设备一起。
新的芯片，厂商英特尔与美光科技的合资公司，IMFT，测量0.35项。0.74英寸，但它可以容纳7000张照片，八小时视频或2000首歌曲。
25纳米NAND闪存芯片是由许多小的64Gbit NAND闪存芯片了。IMFT最新的光刻技术，可以利用一半的芯片作为可能与当前的34nm光刻技术，允许使用更小，密度更高的设计打造产品。
例如，256GB SSD可以与8GB NAND闪存管芯代替64个模具32来构建;32GB的智能手机只需要四个管芯;和16GB的闪存卡只需要两个。这种变化也减少生产移动产品的总体成本。
卢卡斯Mearian涵盖存储，灾难恢复和业务连续性，金融服务，基础设施和医疗保健IT的计算机世界。按照卢卡斯的Twitter @lucasmearian或订阅卢卡斯的RSS源。他的电子邮件地址是lmearian@computerworld.com。
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