研究公司iSuppli的一份最新报告显示，NAND闪存价格在经历了两年的虚高之后，预计将跌至每GB 1美元的关键水平。
之后两年物价飞涨，NAND闪存的价格预计将下降下降至每GB级的关键$ 1，根据研究公司iSuppli的新报告.
这一急剧下降标志着自2008年第四季度以来，NAND闪存的定价首次降至每GB 1美元的门槛，当时消费类NAND定价平均为每GB 90美分。
去年飞涨的NAND闪存价格抑制了原本蓬勃发展的固态硬盘（SSD）市场。去年第二季度，闪存芯片的价格升至每GB 4.10美元。
业内专家表示，NAND闪存的定价一直预计到明年才会持平，届时NAND闪存芯片制造商将能够重新投资利润，提高产量，并开始销售更高密度的产品。
但在今天发布的一份报告中，iSuppli预测，每单元3位NAND的NAND闪存定价在整个第四季度将平均为每GB 1.20美元，到今年年底将降至1美元。iSuppli表示，每GB 1美元的价格水平被视为推动固态硬盘采用的一个门槛。
iSuppli称，最近的价格下跌反映在2010年第一季度，当时每单元3位（或三电平单元）NAND的平均价格为每GB 1.80美元，每单元2位闪存的价格为2.05美元。
iSuppli内存和存储高级分析师MichaelYang在一份声明中说：“当NAND的定价在2008年底首次跌破1美元的水平时，许多观察家认为它将为固态存储敲响发令枪，使这项技术首次在成本上与个人电脑硬盘相竞争。”然而，在接下来的几个季度，由于需求强劲和生产能力受限，固态硬盘的价格上涨，限制了固态硬盘对数据中心低容量服务器的吸引力，并阻止了大容量商用和消费型个人电脑的广泛采用。”雷竞技电脑网站
NAND闪存可分为多电平单元（MLC）和单电平单元（SLC），前者为每个单元保存一个位。MLCFlash传统上每个单元保存两位数据，但是最近，像英特尔与美光宣布3位每单元MLC，这增加了闪速存储器的密度，但降低生产它的成本。
随着时间的推移，制造商也能够将构成nandflash技术的电路的几何尺寸从几年前的90纳米缩小到如今的25纳米到34纳米。布局电路的过程称为光刻。大多数制造商使用的是30nm到40nm范围内的光刻工艺。微米，英特尔三星使用的是34纳米，东芝使用的是32纳米。英特尔最近宣布已经开始使用25nm工艺。
杨说，随着价格回到每GB 1美元的水平，固态硬盘市场可能已经准备好回到采用的快速轨道上。
“随着NAND定价已经恢复到没见过在两年内每GB价格水平，有可能是很多在2010年底固态存储市场创造了新的嗡嗡声，”杨说。“然而，传统的硬盘驱动器过程中上涨的能力和价格下降方面在过去几年获得了很多附加接地。事实上，硬盘驱动器已经获得了这么多的理由是，固态硬盘正处于从未恢复其竞争地位的危险。”
杨认为，为了让固态硬盘能够与硬盘竞争，到2012年，NAND闪存的每GB价格必须下降到40美分，这意味着一个100GB的固态硬盘大约需要50美元。他说，以这样的价格，固态硬盘在消费者和企业个人电脑市场都具有吸引力。
而2010年下半年几乎肯定会看到2位每单元MLC NAND短缺，3位每单元NAND有望臂，供应足够超前的需求，杨说。
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