SanDisk,东芝one up Intel,推出19nm闪存

这两家公司生产每单元2位和3位的NAND闪存

SanDisk及其合作伙伴东芝本周发布了一款采用19纳米技术的64Gbit NAND闪存芯片,该芯片比英特尔和美光上周发布的内存芯片还要小。

SanDisk发布的这款芯片超过了英特尔和美光的20nm芯片,从而在市场上大赚了一笔由他们的合资企业宣布上周。SanDisk称其芯片为“世界上最先进的内存处理技术节点”。

SanDisk首席技术官Yoram Cedar在一份声明中称:"我们很高兴能与东芝合作,推出世界上最小、成本最低的NAND闪存芯片,该芯片基于行业领先的19nm制程技术。"

新的存储芯片将被用来存储数据存储SanDisk表示,在移动电话、平板电脑和其他移动设备方面,该公司的产品都是如此。

闪存芯片将以两种形式出现,一个多层单元(MLC)产品,每个单元持有两比特数据和一个,每个单元持有三比特数据。通常,3位MLC闪存用于USB拇指驱动器和其他对可靠性要求较低的消费品,而2位MLC内存用作移动设备中的主存储。

SanDisk将在本季度试制其19nm 64Gb X2设备,并预计在2011年下半年开始大规模生产。

卢卡斯·米瑞恩为《计算机世界》提供存储、灾难恢复和业务连续性、金融服务基础设施和医疗保健IT服务。在Twitter上关注卢卡斯@lucasmearian或订阅卢卡斯的RSS提要。他的电子邮件地址是lmearian@computerworld.com

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