三星已经开始生产其20纳米DDR 2.0 NAND闪存芯片技术，该技术的容量是现有芯片的两倍，性能也大大提高。
三星电子宣布，基于其最小的20纳米(nm)电路，目前正在生产高性能DDR 2.0多级电池(MLC)存储芯片。该芯片的性能比三星目前的芯片技术提高了三倍，容量为64g，是三星采用DDR 1.0技术生产的芯片容量的两倍。
三星表示，该芯片将用于智能手机、平板电脑和固态硬盘等移动设备。
该芯片配备了DDR(双数据率)2.0接口，新的64Gbit芯片可以以高达400Mbit/秒的带宽传输数据。
DDR NAND flash有两种形式:切换模式三星和东芝;ONFI NAND，来自打开NAND Flash接口(ONFI)工作小组。
ONFI协议被Intel、Micron、SanDisk等闪存制造商使用。海力士和飞索半导体。3月，ONFI工作组发布了DDR 2接口的3.0规范最高可达400Mbit/sec吞吐量。
DDR 2.0提供了超过40Mbit/sec单数据速率(SDR) 10倍的增长，目前广泛使用的NAND闪存。三星和东芝从2009年开始生产的32Gbit NAND闪存，也使DDR 1.0的133Mbit/s性能提高了两倍。凭借这款20nm级、64Gbit、toggle DDR 2.0 NAND，三星引领了市场，并开始向第四代NAND发展智能手机以及SATA 6Gbit/sec ssd，”三星电子内存销售和营销执行副总裁Wanhoon Hong在一份声明中说。
三星表示，随着越来越多的移动和消费电子设备要求更高的性能和密度，采用USB 3.0和SATA 6.0Gbit/秒等新接口，其toggle DDR 2.0的高带宽有望更好地支持正在进行的向高级接口的转变。
此外，新的64Gbit MLC NAND芯片的生产效率比20mm级32Gbit NAND芯片的生产效率提高了约50%，该芯片具有切换DDR 1.0接口(三星于2010年4月开始生产)，是30mm级32Gbit MLC NAND芯片的两倍多。
卢卡斯·米瑞恩为《计算机世界》提供存储、灾难恢复和业务连续性、金融服务基础设施和医疗保健IT服务。在Twitter上关注卢卡斯@lucasmearian或订阅卢卡斯的RSS提要。他的电子邮件地址是lmearian@computerworld.com。
阅读更多关于存储的信息在计算机世界的存储主题中心。
这个故事，“三星现在生产DDR 2.0 NAND闪存，吹捧三倍的性能增长”最初发表《计算机世界》 。