英特尔与美光宣布，他们几乎已经减半了NAND闪存电路的尺寸，这将在终端产品的东西打开上行空间，如更大的电池或新的芯片的附加功能。
由多达40％降低其NAND闪存芯片尺寸，英特尔与美光已经打开用于片剂和智能电话制造商使用用于产品的改进，诸如更大的电池的额外空间的门，更大的屏幕或添加另一芯片来处理新的功能。
这也意味着固态驱动器（SSD）与当前的驱动器的容量的两倍。
本周，英特尔与美光正式宣布他们的联合芯片的制造企业IM闪存技术（IMFT），是生产NAND闪存电路其当前的产品，或在宽度20纳米（nm）的几乎一半的大小。
IMFT的当前NAND闪存芯片之间的大小比较
美光告诉计算机世界关于IMFT的NAND闪存光刻技术，在本月初的进步。当时，该公司表示，在初夏计划基础上，将不会使用新的20纳米NAND但34纳米多级单元PCIe扩展卡标准产生一个新的企业级固态硬盘（SSD）（MLC）NAND工艺技术。即便如此，美光表示，新推出的PCIe SSD卡将是最高性能的更新。
新的PCIe卡，叫P320h，遵循美光的第一款企业级SSD的P300，它是基于串行ATA（SATA）接口和单级单元（SLC）NAND闪存上。
虽然新的20nm的芯片具有相同的容量作为它们的25nm前辈，同一光刻工艺也将产生单个（单片）16GB模，具有在2011年下半年可用示例这将有效地加倍的能力的SSD，一微米发言人说。
当20纳米芯片进入批量生产今年晚些时候，英特尔与美光说，他们也希望他们的推出16GB芯片的样品，在一个单一的固态驱动器，比美国邮票较小创建容量高达128GBs。
新的20纳米芯片有今天的任何在市场上的外形的最高容量，并针对使用片剂，智能手机和其他消费电子设备。
即使在25纳米，IMFT已接近原子的大小与它的电路。例如，一个人的头发比25纳米厚的3000倍。
IMFT还指出，通过收缩NAND光刻至20nm为增加制造产量的最经济有效的方法，因为它提供了从这些工厂时相比，目前的技术更大约50％千兆字节的容量。
新的20nm制程维持类似的性能和续航上一代25纳米NAND技术。
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这个故事，“20纳米闪存芯片意味着更多的移动设备的功能，更小的固态硬盘”最初发表计算机世界 。