IBM在星期一展示了它的第一个赛道存储器芯片，可以提供尽可能多的数据存储容量作为硬盘驱动器，而是具有DRAM的读/写速度和NAND闪存的耐用性。
IBM.星期一宣布在IEEE会议上，它产生了工作赛道存储器电路，这可能导致芯片具有硬盘驱动器的容量，但闪存驱动器的耐用性和性能。
新的非易失性，固态存储器可以有一天替换NAND闪光灯，目前处于20纳米（NM）节点尺寸。纳米是米的十亿分之一。
赛道内存使用电流或“自旋电流”将电子向上和向下移动带状的纳米线，其约为240nm宽，约20nm厚。“旋转电流”操纵纳米级磁区磁畴壁的磁力状态 - 磁性纳米线。每个纳米线表示电子被存储的“电池”。
IBM的芯片由256个赛道单元组成。
IBM测试了集成电路上的读取和写入，声称接近DRAM的I / O速度。
几乎所有电子设备都是基于互补对称金属氧化物半导体（CMOS）技术的数字电路。因此，IBM表示，它的第一个赛道存储电路与八英寸晶圆上的CMOS技术集成了。
该公司表示，赛道内存比今天的NAND闪存更大的耐用性，用于制作手机和平板电脑中使用的固态驱动器（SSD）和闪存卡。通常，消费类NAND Flash可以维持大约4,000个擦除写入周期，而大型企业数据中心中使用的闪存设备可以维持50,000至100,000个写入周期。雷竞技电脑网站IBM发言人声称赛道内存可以维持无限制的写入，因为“它正在修改磁域”，与NAND闪存不同，其中写入是最终降低材料的移动电荷。
“这一发展为进一步提高赛道内存的密度和可靠性使用垂直磁化的赛道和三维架构而奠定了基础，”IBM在一个语句中说。
IBM表示，它的记忆“突破”可能导致新型的数据计算，允许在少于十亿分之一的情况下访问的大量存储信息。
挑战NAND Flash的另一种技术包括石墨烯记忆和相变存储器。
替代的非易失性存储器的发展是关键，因为有些人推测，进一步的NAND闪光发育是有限的，因为在存储在硅中的数据被存储在硅中的电池壁处于太薄而变得太薄。当墙壁变薄时，在单元格中创建信息位的电子易于泄漏到创建数据错误的其他小区，这反过来需要越来越复杂的纠错码。
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