Intel和Micron今天宣布它将开始生产NAND闪光模具128Gbit容量，使用当前非易失性存储器技术可以存储的数据量加倍。
英特尔和Micron星期二宣布他们的联合NAND闪光制造商风险将开始使用一种更密集的电路，允许数据或128千兆字节的T比，以适应指尖。
公司闪光技术（IMFT）的合资公司今天表示，它创造了世界上第一个20纳米（NM），128Gbit多级 - 电池（MLC）NAND闪存模具。
新的20nm筹码在当今市场上的任何形式的能力最高，并且有针对性地用于平板电脑，智能手机和其他消费电子设备。
模具使企业的25nm光刻工艺的能力加倍，这已被用于使当今固态驱动器（SSD），平板电脑和智能手机中使用的64Gbit死亡。
公司周二还宣布了使用20nm工艺技术的新型64Gbit Dies的大规模生产。
128Gbit装置的样品将于1月份提供，紧随其后的批量生产于2012年上半年，IMFT表示。
新的128Gbit Dies将允许制造商将SSD和其他基于NAND存储产品的容量增加一倍，使单个设备能够保持16GB的数据和8个模芯片以保持128GB的数据。
IMFT首先宣布了它的20nm技术在4月份。
IMFT当前NAND闪存芯片之间的尺寸比较
IMFT发言人表示，将NAND闪光的密度加倍，降低了与晶圆生产相关的制造成本。
IMFT的128Gbit Die使用Open NAND Flash接口3.0规范，提供高达333 MegAtransfers的性能（1 Megatransfer =每秒100万数据单位）。
“作为便携式设备变得较小，更畅销，服务器需求增加，我们的客户在Micron Nand Solutions Group副总裁Glen Hawk在一份声明中表示，我们的客户展望了符合这些挑战的创新新的存储技术和系统解决方案。“我们与英特尔的合作继续提供领先的NAND技术和专业知识，这对构建这些系统至关重要。”
Lucas Mearian涵盖储存，灾难恢复和业务连续性，金融服务基础设施和医疗保健为计算机世界。在推特上关注卢卡斯@lucasearian或订阅卢卡斯的RSS饲料。他的电子邮件地址是lmearian@computerworld.com.。
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这个故事，“英特尔，NAND闪存的微米双密度”最初发布Computerworld. 。