东芝与海力士签署闪存芯片授权协议

海力士半导体(Hynix Semiconductor)和东芝(Toshiba)已同意分享彼此的半导体专利使用权,结束了数项专利的使用诉讼,海力士周二说。

该协议解决了日本和美国正在审理的专利侵权案件,其中包括东芝在美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission)面前试图阻止海雷竞技比分力士(Hynix)某些闪存产品进口到美国的一起案件。

韩国的海力士是全球第二大动态内存(DRAM)芯片供应商,仅次于三星电子。就在2004年,东芝还是闪存的主要生产商,但后来跌出了前10名。闪存和DRAM组件在消费电子产品中至关重要,它们可以将音乐存储在便携式MP3播放器上,将数据存储在智能手机上。

2006年3月,日本一家法院判决东芝赔偿海力士的损失,并禁止销售某些存储芯片。两家公司之间的知识产权案件始于2004年12月,当时东芝指控海力士侵犯了其在nand型闪存芯片方面的专利。两家公司未能就一项专利交叉许可协议的续签条款达成一致,该协议从1996年一直延续到2002年。

东芝公司副总裁Shozo Saito在一份声明中说,通过结束诉讼,两家公司现在可以专注于加强各自的业务。根据海力士高级副总裁OC Kwon的声明,海力士表示,它甚至可能很快就会与东芝再次合作,称该协议“为我们两家公司在未来建立互利的业务关系奠定了良好基础”。

解决这些诉讼还可能有助于恢复近年来因政府起诉而动荡的市场的平静。作为美国司法部(U.S. Department of Justice)对海力士(Hynix)和三星(Samsung)操纵价格的调查的一部分,两家公司都缴纳了巨额罚款。自2003年以来,美国司法部已经对四家公司和18人处以罚款和起诉。

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