海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)和晟碟公司(SanDisk Corp.)周三表示，两家公司已达成一项专利交叉许可协议，将联合生产和销售NAND闪存，此外还将开发每单元4位闪存。
两家公司都将投资于Hynix提高产能。Hynix是全球第二大DRAM(动态RAM)内存芯片生产商，总部设在韩国。
每单元4位的闪存技术被称为x4，它允许在相同的制造成本下在闪存芯片上存储更多的内存。海力士一直在与M-Systems闪存先锋有限公司(M-Systems Flash Disk pioneer Ltd.)合作开发x4技术。然而，SanDisk在2006年11月以15亿美元收购了M-Systems。
两家公司都没有详细说明SanDisk收购M-Systems后在x4上的合作发生了什么。但海力士高级副总裁O.C. Kwon在一份声明中表示，新协议解决了他们之间的知识产权问题，并排除了“干扰”。
周二，海力士与东芝公司(Toshiba Corp.)达成了共享半导体专利的协议，结束了美国和日本的专利侵权诉讼。