美光将开始推出一款基于PCIe扩展卡标准的新型企业级SSD，以及业内最小的NAND闪存电路——20纳米。
英特尔和美光计划进一步缩小NAND电路，将其闪存芯片的密度提高一倍，并进一步降低固态硬盘(SSD)存储的成本。
IM Flash技术(IMFT)，英特尔和美光的合资企业，发布25纳米(nm)电路一年多以前。
今年夏初，该公司计划发布一款基于20nm电路和PCIe扩展卡标准的企业级SSD。
"这将是业界的主要动力，" Micron NAND产品集团战略营销总监Kevin Kilbuck在本周举行的存储网络世界会议上告诉Computerworld。
新的PCIe存储卡被称为P320h，是美光公司第一款企业级SSD的继承者，P300的，它是基于单级单元(SLC) NAND闪存。
P320h也将使用SLC NAND闪存，以及一项基于一个熟悉的缩略词的技术:RAIN，即独立NAND冗余阵列。RAIN更常见的定义是“独立(或廉价)节点的冗余阵列”，它指的是网格存储架构的构建块，该架构将处理器和磁盘存储合并在一个单元中。
在Micron的实例中，RAIN将使用额外的NAND作为缓存或缓冲区来提高性能。
不像英特尔上周说的那样离开SLC在美国，美光科技认为未来将提供基于slc的固态硬盘作为企业的最高存储层，尽管这一层仅占固态硬盘已售容量的10%左右。
Kilbuck认为，到2014年，10%的产能将代表约50%的市场收入。
相比之下，英特尔表示，其最受欢迎的消费类SSD X25-M在企业级市场的销量比其基于slc的企业级SSD X25-E高出7比1。因此，未来该公司计划专注于基于MLC NAND的企业级产品。
美光承认，其C400型消费者级SSD的销量也远远超过了P300型企业级SSD。但就营收而言，该公司预计企业级ssd的营收将赶上成本较低的消费产品。
例如，美光将企业SSD分为三类:
- 基于面向OLTP、高性能计算和关系数据库应用的PCIe和SAS接口的企业性能产品。
- 基于面向web服务器和数据缓存的SAS和SATA接口的企业主流产品。
- 企业重视基于SATA接口的产品，目标是作为引导驱动器、数据库中的日志文件存储和数据存储，或者DRAM卸载点。
Micron的企业SSD高级产品营销经理Kevin Dilbelius说，云正在推动对性能更高的flash产品的需求，这些产品可以帮助刀片服务器基础设施提供在线流媒体视频等服务。
IMFT在继续缩小NAND闪存尺寸的尝试中遇到了相当大的技术障碍。在25nm时，IMFT接近原子大小。例如，一根人的头发比25纳米厚3000倍。按照基尔巴克的说法，如果人类头发的厚度是1英里，那么25纳米就相当于20英寸。
Kilbuck表示，在20nm级别上，只有少数公司拥有继续生产SSD产品的知识产权。
他说:“当我们在50纳米时，几乎任何人都可以拼凑出一款固态硬盘。”“在20nm时，几乎是相反的效果。”
在缩小半导体中使用的电路尺寸方面存在固有的问题，最明显的是由于电子穿过越来越薄的硅壁而导致的数据错误率的增加。这就需要开发更复杂的纠错码(ECC)和信号处理算法，以及过度配置NAND闪存芯片，以防止数据丢失。
Dilbelius说:“我们看到SSD领域将会发生巨大的变化，因为第三方厂商根本没有足够的知识产权。”
卢卡斯·米瑞恩为《计算机世界》提供存储、灾难恢复和业务连续性、金融服务基础设施和医疗保健IT服务。在Twitter上关注卢卡斯@lucasmearian，或订阅卢卡斯的RSS提要。他的电子邮件地址是lmearian@computerworld.com。
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这个故事，“英特尔，微米到双固态硬盘密度的夏天”最初发表《计算机世界》 。