Texas Memory Systems公司今天宣布推出其第一个高可用性的NAND闪存阵列旨在存储需要最高性能的最关键任务数据。
闪存阵列厂商Texas Memory Systems公司（TMS）周二发布了其第一个高可用性的NAND闪存阵列。该公司RamSan-720阵列是针对托管最高的性能，关键任务数据。
新的阵列具有故障在硬件和管理软件层面都没有单点。所述存储系统包括冗余电源，双RAID控制器，双内部闪存卡接口，存储器和电池备份。
将1U（1.75高）机架安装单元配备了12个闪存模块。每个模块具有冗余I / O端口，一个500GB闪存卡和一个扩展单元，用于额外的500GB闪存卡，给用户在一个阵列中具有或者总原始容量（5TB和10TB可用）的6TB或12TB的选项。
所述的RamSan-720闪存阵列
在Texas Memory Systems公司的高级分析师Eric Eyberg，表示，新的RamSan阵列非常适合于虚拟环境，包括虚拟桌面基础架构（VDI），以及云计算环境。
“说你是一个云服务提供商，为您提供各种应用程序 - 比如数据库和Web服务器 - 你的房客你希望他们能够访问速度非常快，但你不能依赖于从高可用性。应用程序，让你把应用程序对这些盒子。现在你可以运行一堆[每只箱子的应用程序]和向外扩展您的用户群，” Eyberg说。
所述12TB的RamSan-720模型中包含80个单级单元（SLC）NAND闪存芯片。
在最新的RamSan阵列，每个控制器管理20个芯片，这使TMS提供其前身的容量的两倍，所述的RamSan-720的阵列，其管理10层的芯片。
也从上一代公司的闪存阵列的设置的RamSan-720除了是RAID保护的第三层。
在的RamSan-720每个模块包含两个或四个的FPGA，（现场可编程门阵列或编程的集成电路），这些模块之间和NAND闪存芯片之间定制以条纹数据。所以9 + 1的奇偶校验RAID在两端的系统电平来执行，NAND闪存模块之间在芯片级。因此，如果任何芯片或模块发生故障时，数据也不会丢失，Eyberg说。
“我们更愿意把它看作是有它自己的RAID 5每个独立层，” Eyberg说。“我们的很多竞争对手都做RAID跨模块现在，我们提供了两全其美的：跨越和模块内的RAID。”
在硬件一级，每10 NAND闪存芯片，一个用于奇偶校验和一个被用作热备用的情况下的芯片发生故障。TMS为用户提供的能力，以关闭，以便通过回收奇偶芯片夺回容量的附加1TB或2TB的模块间的RAID。
TMS也声称其的RamSan-720使用较少的功率比相当的盒 - 300至400瓦的功率运行时。
所述的RamSan-720提供相同的性能作为其前身710，5GB /秒，每秒410000个I / O（IOPS）。数据延迟率在100微秒，Eyberg说。
该公司RamSan-720的售价为每TB $ 20,000。
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