Texas Memory Systems公司的挑战与新的闪存产品的高端硬盘

单的RamSan 1U阵列可以产生多达吞吐量4Gbps的

Texas Memory Systems公司爆发的超级高端模具,并推出了基于闪存的阵列,它说,将与1个硬盘驱动器系统上的价格每GB的基础上竞争。

Texas Memory Systems公司(TMS),因为其价格昂贵而闻名,但非常高性能的基于NAND闪存的存储阵列,推出了一个新的系统,它表示与价格每GB为单位1级硬盘竞争。

TMS的新的RamSan-810存储区域网络(SAN)是一款1U(1.75英寸)阵列充满的企业级多层单元(MLC)NAND闪存卡。通过使用代替高价的单级单元(SLC)NAND MLC NAND,TMS说,这是能够切断装置的价格的一半上的每GB基础。

该公司RamSan-810

“与1级企业存储,而不只是零层中存储竞争,因此它允许我们打的价格和密度点”火腿博文,在TMS销售工程总监说。

存储在企业分类里三层外三层。固态驱动器(SSD)或闪存卡技术被称为零层,光纤通道或SAS驱动器被认为是第1级(主)存储器,和更高容量的,但速度较慢,SATA驱动器被分类为第2层(或“近线”)存储。

TMS是在1级存储市场,这是由供应商如EMC,NetApp公司,日立数据系统公司和惠普铅瞄准了新的RamSan。

据市场研究公司Objective Analysis公司的分析师Jim Handy,TMS已经在企业MLC(EMLC)空间的最后抵抗者之一,SLC-只产品坚持比别人更长的时间。

在过去的几年中,一些初创公司,其中包括Violin Memory的雨云数据系统,已押在EMLC权利要求存储竞技场。TMS,但是,是一个崇敬的公司,成立于1978年,因为它开业已销售闪存存储。

“他们打算停在路上很少有其他公司正在下降的主张雷竞技电脑网站经理人改变他们的架构,以摆脱更快的硬盘驱动器,只是有较慢的硬盘驱动器批量存储和闪存的一切的,” Handy表示。

TMS的目标是关系型数据库,其新的存储设备,正如光纤通道驱动器将被用作主存储。

有两类基于MLC的闪存:消费者和相对较新的企业,或EMLC,已经出现在过去的一年。两者之间的区别是次的驱动,可以填充至容量的数量 - 或“写周期”,一个驱动器可以承受的数量。在一个典型的消费者驱动器,其数量是变化3000和5000之间的写周期,而一个驱动EMLC可以平均30000个写周期,或约10倍以上的消费者MLC系统可支持忍受。在比较的基于SLC的顶级SSD可以承受高达100,000个写周期。

“我们单位被评为了10年的生活,”鲍文说。“这意味着一个用户可以写600MB /秒。对于的RamSan 810,或10TB的寿命每天五次持续10年”。

TMS表示,其新的RamSan-810闪存阵列自带的约13 $每GB,包括维修许可证价格。

相比较而言,TMS的高端SLC-NAND为基础的SAN - 对的RamSan-710 - 约$ 26 GB的运行。例如,入门级价格为的RamSan-710和的RamSan-810是约$ 45,000,但入门级的810配备了2TB与1TB的710模型。该公司RamSan-710,其基于SLC NAND闪存的,大约是20%,比TMS的产品EMLC更快。

Handy表示价格与光纤通道和基于SAS的硬盘驱动器阵列的竞争力。

RamSan中的810也有不俗的表现统计。该阵列可以产生在1U外壳的最大每秒320000个I / O(IOPS),或4GB /秒的带宽。的RamSan-810S的全机架,这是42U,可以产生超过100万个IOPS或几乎500GB /秒。

“即使是短冲程硬盘驱动器,你就不会得到这样的事情,” Handy表示,指的是只使用一个硬盘驱动器盘片的外部门为了达到最高可能的性能的做法。

在每1U的RamSan-810阵列,有20张闪存卡,每个都有400个NAND闪存芯片。每个芯片有能力的32GB。像的RamSan-710,新的810模型储备RAID 5个数据其闪存容量的30%条带化,其中在10一个闪存芯片用于奇偶校验和其他九个存储中的数据。

也象它的较高端表妹,的RamSan-810带有双端口的8Gbit /秒。光纤通道端口或两个InfiniBand端口,冗余电源和风扇一起。

“这比从1种硬盘类型系统更好EMC和NetApp在于它可以适合10TB成1U机架外壳。我们可以看到,更换硬盘机箱的整个机架,”鲍文说,‘事实是,我们可以得到近半个世纪PB级为一个机架中。’

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