三星已开始生产闪存芯片，据称其速度将是目前移动设备使用的闪存芯片的两倍，耐用性将达到10倍。
三星半导体NAND市场总监Steve Weinger称，这款所谓的V-NAND闪存采用3D结构，存储模块垂直堆叠。
三星已经开始批量生产这种新型闪存芯片，并已将其运往各公司进行认证和测试。韦格说，这项技术可能会在今年出现在企业固态硬盘上，明年将出现在移动设备上。
3D内存与传统的NAND闪存有明显的不同，后者的存储模块是并排放置的。三星在一个芯片封装中堆叠了24层NAND芯片，每一层都通过专有的互连技术连接，维格称这种技术为“秘方”，使3D存储比传统NAND更快。
韦格表示，3D叠加技术还有助于打造容量更大的flash产品。初始产品的容量从128GB到1TB不等。
据韦格说，这是首次在NAND闪存中使用3D叠加技术。韦格表示，三星正转向3D设计，因为随着芯片尺寸的缩小，水平放置NAND闪存设备变得颇具挑战性。
Mercury Research首席分析师Dean McCarron表示，半导体行业多年来一直在谈论芯片组装，而三星的技术显示了存储行业的未来发展方向。
McCarron说:“如果你想把很多东西放在一个包里，你看到加工技术的比例法则已经达到了极限，那么开始堆积是有意义的。”
垂直化可以帮助减少需要相互通信的组件之间的距离，实现数据传输速率，他说。
Agam Shah为IDG新闻服务覆盖pc，平板电脑，服务器，芯片和半导体。在Twitter上关注Agam@agamsh。阿甘的电子邮件地址是agam_shah@idg.com