三星制造的芯片可以给你的智能手机充电

这种芯片还可以减少20%的耗电量

三星开始生产业内首款超高速4Gbit LPDDR3移动存储器,该公司称其性能水平可与个人电脑使用的标准DRAM相媲美。

三星今天宣布生产其首款超高速、4Gbit低功耗移动DRAM芯片,该芯片采用了该公司迄今为止最紧凑的电路。

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新的双数据速率3 (LPDDR3)移动DRAM,使用20纳米的制造工艺生产,每个引脚可以传输高达2.1Gbps的数据。新的DRAM性能是之前的标准移动DRAM (LPDDR2)的两倍多,后者拥有高达800Mbps的数据传输速率。

在2.1Gbps的性能下,搭载三星芯片的移动设备可以在1秒内传输3段长度为17 GB的全高清视频。

三星的4Gbit, LPDDR3移动DRAM

三星表示,其新的LPDDR3移动DRAM能够在5英寸或更大屏幕的智能手机上无缝显示全高清视频。该公司表示,与30nm级的LPDDR3 DRAM相比,这款新设备的性能提高了30%以上,能耗降低了20%。

新的20nm工艺节点还通过使用四种新芯片为移动设备提供2GB内存,这些芯片的高度为1.8毫米或0.3英寸。

三星电子负责内存销售的执行副总裁Young-Hyun Jun在一份声明中表示:“通过提供具有超大数据容量、效率最高的下一代移动内存,我们现在让oem厂商能够在市场上推出更多创新设计。”

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卢卡斯·米瑞恩为《计算机世界》提供存储、灾难恢复和业务连续性、金融服务基础设施和医疗保健IT服务。在Twitter上关注卢卡斯@lucasmearian或订阅卢卡斯的RSS提要。他的电子邮件地址是lmearian@computerworld.com

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