系统内存是一个复杂的问题。更多的内存意味着更多的性能,特别是在虚拟环境中。但更多的内存也需要更多的权力,可以添加为你开始进入成千上万的记忆棒。
另外,你只能把很多记忆棒放在一个服务器,根据可用插槽的数量。那么如何增加内存容量?通过增加内存芯片密度,这是说起来容易做起来难。然而,一家名为NEO半导体声称它将能够提高存储密度八次突破3 d设计标准内存。
这不是一个新概念;3 d的记忆堆积被用于增加容量NAND闪存十年了。存储器晶体管只能这么大DRAM芯片的限制。而不是增加晶体管并排摆放的数量,内存制造商开始堆积在彼此之上,从而增加容量相同的物理空间。10年3 d堆叠以来,NAND闪存DRAM已达到170 -层马克,和ssd显著增加容量不会增加芯片的数量。
但解决方案到目前为止没有标准DRAM的跳过。这并不是由于缺乏努力。2020年英特尔生产的原型,但还没有公开宣布任何进展。
NEO半导体的3 d X-DRAM技术结构类似3 d NAND记忆细胞,和该公司表示,它可以使用3 d NAND-like生产制造过程。该公司说,它有别于其他3 d DRAM的努力需要全新的制造过程。
“如果没有3 d X-DRAM,等待行业面临潜在的几十年,在不可避免的生产中断,和减轻不可接受的产量和成本的挑战,”该公司在一份声明中说。
有很多竞争者竞相给这个世界带来了DRAM的3 d内存,所以它还为时过早预测行业将哪个方向。一旦决定,转换可能需要一些时间,记忆专家吉姆说方便,与客观分析首席分析师。
然而,NEO的方法利用了NAND晶圆厂的所有来之不易的学习获得,因此过渡到这种DRAM过程应该更顺利比3 d NAND过渡,方便说。
“我保留我的判断一个公司之前我看到一个原型芯片的证据。Neo还没有产生一个原型,所以很难说是否会兑现承诺,但是3 d DRAM由英特尔和imec已经证明可行,所以有理由相信,它可以制造,”方便说。