惠普和晟碟公司今天宣布了一项联合开发“存储级内存”(SCM)的协议，该产品将取代DRAM，速度将比NAND闪存快1000倍。
这两家公司将销售他们的SCM产品，用于基于惠普的忆阻器(电阻的一种革命性形式)的企业云基础设施一直在发展至少五年的时间，以及SanDisk的ReRAM内存技术。
两家公司表示，由此产生的非易失性存储技术的速度将比闪存快1000倍，续航时间也将达到闪存的1000倍。
交叉开关
一个艺术家对RrRAM记忆的演绎。微小的导电丝纵横交错，连接着硅层来表示少量的数据。
SanDisk内存技术执行副总裁Siva Sivaram表示，与DRAM技术相比，它还有望在成本、功率、密度和持久性方面取得显著改善。
单片机产品组合将最终出货的企业级SAS，SATA和可以用于替代DRAM的PCIe连接的产品，并补充NAND闪存作为更高层次的记忆。
SCM技术将像DRAM一样采用字节寻址，其特性旨在允许系统为每个服务器节点使用数十兆兆字节的SCM缓存，用于内存数据库、实时数据分析以及事务性和高性能计算等应用程序。
“这是一个很大的市场，”Sivaram说。
忆阻器和ReRAM的悠久历史
基于忆阻器电路的ReRAM使用了一个无源的双端电极，使用改变电阻的离子而不是电子来存储数据。
据研究人员从利希研究亚琛联盟（JARA），电阻式存储器可以减少现代IT系统的能耗，同时提高性能。
“以电阻切换存储器单元（ReRAMs），离子表现上以相似的方式与电池的纳米级。该细胞具有两个电极，例如，由银和铂，在该离子溶解，然后沉淀物再的。这改变电阻，其可用于数据存储被利用，” JARA在上型的ReRAM纸张说明。
电阻式随机存取存储器（ReRAM中或RRAM）是基于“记忆电阻”的概念，也称为忆阻器。术语忆阻器由加州大学伯克利分校的科学家莱昂蔡大学在70年代初提出的。
交叉开关
电阻式RAM电路，其中微小的导电性细丝交错和连接硅层的显微镜照片侧视图来表示数据位。
直到忆阻器，研究人员只知道三种基本电路元件 - 电阻器，电容器和电感器。忆阻器增加了第四，但它仍然是一个理论，而不是几十年来的现实。
2008年，惠普实验室的研究人员声称已证明是记忆电阻器在分析二氧化钛薄膜的基础上存在。
在2010年，惠普签订了为期三年的联合开发协议与海力士半导体围绕忆阻器的发展。
惠普和海力士表示，他们将联合开发材料和工艺集成技术，将忆阻器技术用于商业开发。海力士将负责制造忆阻器技术。五年过去了，还没有任何产品。
在谈到公司的ReRAM技术时，Sivaram表示:“SanDisk公司已经积极开发该项目七八年了。”“惠普认可我们的专长。”
Sivaram没有透露产品将于何时发货。这两家公司将需要开发专有的操作系统、固件和应用软件来配合新的非易失性存储器。
虽然协议被描述为“长期”协议，但两家公司没有具体说明合作发展的具体时间。
惠普和晟碟并不孤单
电阻式记忆已经接近生产在过去的几年中，这意味着惠普和SanDisk并不孤单，在寻求找到一个DRAM更便宜，更耐久的非易失性替代。
硅谷初创交叉预计它的一些3D倔强内存（3D RRAM）的产品出在2016作为可穿戴式设备，与像后18个月内到达的固态驱动器的高密度存储设备存储器。
英特尔与美光今年早些时候宣布它们合作开发3D XPOINT，晶体管更少交叉点体系结构创建微观电线，其中的存储器单元坐在的字线和位线的交叉点的三维棋盘。
这两家公司声称，3D XPoint内存有可能比NAND闪存快1000倍，续存时间是NAND闪存的1000倍，擦除周期约为100万次。
英特尔表示，预计3D XPoint产品将于明年上市，包括PCIe固态硬盘和DIMM形状的因素。
英特尔、微米
3D XPOINT的体系结构的前提是，它消除了对比特存储晶体管的需要，而是使用使用电阻来表示一个1或0线的格子。
惠普和晟碟正在研发的SCM技术，专注于解决社交媒体、安全、移动性、大数据分析、云计算和物联网等融合所产生的海量数据流。
对于公司的合作旨在扩大其现有的基于闪存的SSD产品线与新的内存技术，以企业数据中心提供高性能的存储解决方案。雷竞技电脑网站
微米
3 d XPoint死亡。
它还旨在为惠普做出贡献这台机器，新的存储架构，使用内存和存储，使处理更接近数据，在整个硬件和软件堆栈嵌入安全控制点，并在规模使系统的管理和保证。
在可预见的未来，企业面临的数据冲击将继续是一个挑战。我们很高兴能与SanDisk合作，因为他们都理解这一挑战的重要性，更重要的是，他们都认为解决方案存在于内存驱动计算中。“我们将共同为市场带来新的内存解决方案，并加速企业的采用，同时推进惠普在这款机器上的开发，使一种新的计算模式成为可能。”
这个故事，“HP，SanDisk公司合作，将存储级内存市场”最初发表《计算机世界》 。