英特尔计划明年运3DNAND闪存芯片 允许它把更多比特塞入固态存储
3DNAND目前市场竞争产品密度为Intel索赔的2倍三星关键竞争者 已投入第二代三维技术SD
3DNAND多层晶体管叠叠成立方体英特尔芯片有32层三星市ssds运输内端闪存32层, Intel表示产品存取比特多2倍:2 560亿比特使用多层闪存
闪存比旋转磁盘快快、电效高得多,但生产成本仍然更高Intel认为它能实现闪存成本突破, 从而深入范围更广的系统已经使用闪存的产品能为定值存储更多存储
高端市场英特尔将能够匹配1TB数据 NAND芯片两毫米厚,据Rob Crooke说,副总裁兼Intel非Volial内存解决组总经理周四英特尔投资会议宣布计划
Crooke表示:「我们不必再折中多少存储器了。”未来两年内 Intel计划为容量超过10TB的企业服务器搭建存储卡
技术还提高Intel对廉价系统所能做的
储量充足 成本低得多 比兆字节低得多薄轻设备,如二元平板电脑, 说道,“你能得到多少存储量都行。”
闪存器仍然只占今天售出量的约20%,目前的预测显示闪存达笔记本市场50%和服务器市场35%到2018年,他说
