继任者DDR3内存达到设备明年,美光表示,

美光已经开始DDR4内存的样品出货,这将达到电脑和平板电脑明年。

美光科技周一表示,DDR4内存 - 的继任者DDR3 DRAM - 将达到电脑,明年,该公司已经开始出货即将到来的DDR内存类型的样本。

新的DDR4内存更节能,比目前的DDR3内存,这是大多数新的电脑今天舰发现,速度更快。DDR4内存将会在电脑里更快的速度洗牌的数据。

DDR内存的新形式首先使之成为服务器和台式机,然后到笔记本电脑。美光表示,它希望DDR4内存也将达到便携设备,如平板电脑,其目前使用的低功耗DDR3和DDR2内存形式。

DDR4存储器单元被预计将吸引更少的功率,开始于1.2伏相比1.5伏为DDR3。该DRAM也将在一个活跃的局面速度传输数据,起步价2133MHz总线速度。新的内存也被重新设计,工艺读,写和更有效地刷新。更快的吞吐量有助于提高应用性能和获取信息的存储速度更快。

存储器标准制定组织JEDEC(电子设备工程联合委员会)预计今年中期最终确定DDR4规范。美光预计将在今年年底开始批量生产DDR4内存的,该公司在一份声明中说。

第一DDR4 DRAM部分被Micron共同开发的内存制造商南亚科技,多台机组将在达到最大JEDEC提出了每秒3.2 gigatransfers传输速度的将来推出。

该公司在未来将提供标准和纠错功能DDR4内存部分。

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